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三星正在开发新技术 让智能手机和平板使用HBM
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简介过去几年里得益于人工智能AI)热潮,高带宽内存HBM)得到了长足的发展,迭代速度明显加快,成为了市场上最受追捧的DRAM技术之一。去年SK海力士凭借着向英伟达大规模供应HBM3和HBM3E,一度超越三 ...
过去几年里得益于人工智能(AI)热潮,星正新技高带宽内存(HBM)得到了长足的术让手机发展,迭代速度明显加快,和平成为了市场上最受追捧的板使DRAM技术之一。去年SK海力士凭借着向英伟达大规模供应HBM3和HBM3E,星正新技一度超越三星领跑DRAM市场。术让手机

据Wccftech报道,和平三星正在开发一种独特的板使封装技术,能让智能手机和平板电脑使用HBM芯片,星正新技为移动设备打造高性能AI终端产品。术让手机
传统移动DRAM使用的和平铜线键合技术,使得I/O引脚数量仅限于128至256个,板使这意味着在提升能效和降低发热量的星正新技同时,也存在较大的术让手机信号损耗。三星计划使用超高长宽比铜柱结合扇出型晶圆级封装(FOWLP),和平来提升耐热性及增强持续工作负载的性能。
通过三星的垂直铜柱堆栈(VCS)方面的创新,DRAM芯片能以“阶梯”结构堆叠,确保HBM在移动设备中克服尺寸限制,发挥出自身优势。据了解,三星已经将垂直铜柱堆栈中铜柱的长宽比从现有的3-5:1大幅提升至15:1–20:1,不过这种方法会导致铜柱直径减小。如果直径低于10微米,那么铜柱可能会弯曲甚至断裂,这时候扇出型晶圆级封装技术就派上用场了,可以通过外延伸铜线来增强结构完整性,另外还能增加I/O引脚数量,带来30%的带宽提升。
暂时还不清楚三星什么时候应用新技术,从时间表来看,可能集成到Exynos 2800或者Exynos 2900。传闻苹果也考虑将HBM引入到iPhone,不过不确定是否会选择三星的这项技术。考虑到当前的DRAM行情,预计只有等价格稳定后才讨论这种可行性。

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